① 運(yùn)用溫度
硅碳棒溫度越高壽數(shù)越短。特別是在爐膛溫度超越1600℃今后，氧化速度加速，硅碳棒的運(yùn)用壽數(shù)變短，所以請(qǐng)盡量不要讓硅碳棒表面溫度過高，即有必要減小爐膛溫度與硅碳棒溫度之差。
②表面負(fù)荷
表面負(fù)荷密度指棒的發(fā)熱部單位表面積所容許承載的額定功率。
表面負(fù)荷密度=額定功率（W）/ 發(fā)熱部表面積（cm2）
實(shí)踐證明：負(fù)荷密度大則發(fā)熱體表面溫度與爐膛溫度之差也大。負(fù)荷密度大則棒體表面溫度高，電阻增加速， SIC棒的壽數(shù)短。因此，硅碳棒表面溫度負(fù)荷密度、爐內(nèi)氣氛、溫度與SIC棒老化速度成正比，與SIC棒的壽數(shù)成反比。
爐膛溫度與表面負(fù)荷密度的聯(lián)絡(luò)
③ 爐內(nèi)氣氛
在燒成中硅碳棒與很多燒成物蒸騰出來的化學(xué)物質(zhì)之間的會(huì)發(fā)生反應(yīng)，如果與水、氫、氮、硫、鹵素等氣體及熔融的鋁、堿、鹽、熔融金屬、金屬氧化物接觸的話，也會(huì)發(fā)生反應(yīng)、腐蝕或氧化表象。
④窯爐工作辦法
硅碳棒在接連式窯爐與間歇式窯爐中，前者的壽數(shù)較長(zhǎng)。硅碳棒在運(yùn)用中表面氧化生成二氧化硅薄膜，長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)用使二氧化硅皮膜增加，硅碳棒阻值也隨之增加。二氧化硅薄膜在結(jié)晶臨界點(diǎn)（270℃）附近發(fā)生異常脹大、縮短。因在間歇式窯爐中接連運(yùn)用總在此溫度上下起浮，所以重復(fù)破二氧化硅薄膜，加速氧化。因此停電爐溫降至室溫時(shí)常常急劇增加電阻。
⑤ 接線辦法
如果硅碳棒阻值不一樣，串聯(lián)時(shí)電阻高的硅碳棒負(fù)荷較會(huì)合，易致使某一根硅碳棒的電阻疾速增加，壽數(shù)變短。硅碳棒通常是串、并聯(lián)接線聯(lián)絡(luò)運(yùn)用。建議選用2根串聯(lián)為一組后多組并聯(lián)。特別當(dāng)爐內(nèi)溫度超越1350℃時(shí)有必要并聯(lián)。三相接線時(shí)建議運(yùn)用打開三角形接線。